ASML近(jìn)期受台積電(diàn)5、ε π7納米制(zhì)程的(de)EUV設備與存儲器(qì)α✘∞相(xiàng)關設備需求上(shàng)升影(yǐng)響，其中EUV設備<≠λ←年(nián)增率更上(shàng)看(k♠ ♥ àn)66%，市(shì)場(chǎng)預估ASML第3季度營收将會•®(huì)反彈為(wèi)正成長(cháng)™εβ♥，且半導體(tǐ)受AI與5G趨勢帶動下(xià)，相(xiàφ"≤♥ng)關設備商将可(kě)望受惠。
産業(yè)方面，市(shì)場(chǎng)多(duō)認為(wè∏€≠♣i)，半導體(tǐ)産業(yè)受AI、5€↑ G相(xiàng)關企業(yè)需求所帶動，預計(jì)将于2020年÷εφ(nián)擺脫低(dī)谷。其中邏輯IC與代工(gō→>↕‍ng)方面，由于AI與5G相(xiàng)對(duì)需要(y®φ♣ào)更高(gāo)速的(de)運算(suàn)↓β與處理(lǐ)，将帶動5、7納米制(zhì≤ )程研發與發展。
而5、7納米制(zhì)程領頭羊台積電(diàn)受惠‍ '≤于先進制(zhì)程産品而需求上(shàng)升，制(zhì)程所需的(✘♦ de)EUV微(wēi)影(yǐng)技(jì)術(shù♥± ★)設備采購(gòu)也(yě)随之提升，将有(yǒu)利ASML EUV設備±®&銷售成長(cháng)，市(shì)場(chǎn&Ω₹g)預估，今年(nián)EUV設備銷售相(xiàng)對(duì™↔♦ )于2018年(nián)的(de)18台将增加≤∞₽至30台，年(nián)增率成長(cháng)66.6%。
此外(wài)，存儲器(qì)産業(yè)雖目 ↕™前仍處于低(dī)谷，但(dàn)展望未來(lái)，存儲器(q₽  ì)受惠AI、5G趨勢中資料儲存的(de)需求增加下(xi•☆à)，将能(néng)帶動産業(yè)複蘇，對(duì)此市(shì)₹↔→場(chǎng)分(fēn)析師(shī)也(§•yě)預估，存儲器(qì)報(bào)價于2020上(s$ ​←hàng)半年(nián)将逐漸回穩，而設備需求也(yě)将↕≠♥₽受産業(yè)複蘇與3D NAND研發趨€©<∞勢能(néng)有(yǒu)所成長(cháng)。
在AI、5G趨勢的(de)帶動下(xià)，±♠≈中下(xià)遊需求增加下(xià)勢必會δ"φ(huì)增加企業(yè)資本支出，半導體(tǐ)設備商如(rú)ASML、γ<東(dōng)京威力科(kē)創、泛林(lín)集☆σ₽ 團、應用(yòng)材料與科(kē)磊預計(jì)可(kě)望直接受惠。‌πβ