半導體(tǐ)産業(yè)秩序/競合關系陷入大(dà★λ€ε)洗牌
在More than Moore的(de)時(shí)代，晶圓代工(gōn‍φg)業(yè)者除了(le)制(zhì)程微(wēi)縮‌≠之外(wài)，還(hái)有(yǒu)₩™&™許多(duō)其他(tā)道(dào)路(lù)可(kě)走。§≠≈&不(bù)管是(shì)還(hái)留在先進制(zhì)程競技(jì)場(c'≠hǎng)上(shàng)的(de)台積電(diàn)、三星✘÷δ$或英特爾，或是(shì)已經策略轉向的(de)聯電(diàn)、格芯↕∏，以及本來(lái)就(jiù)走小(xiǎo)而美(měi)路(lù)線的(‍♥✔de)特殊制(zhì)程晶圓代工(gōng)業(yè)者♦ ↑α，都(dōu)必須用(yòng)更全方位的(de)眼光(gu• ♥εāng)跟策略布局來(lái)面對(duì)未來(δ¶∑ lái)市(shì)場(chǎng)需求的(de)變化(huà)跟潛在≥‌競争對(duì)手的(de)動向。
舉例來(lái)說(shuō)，台積電(diàn)近(jìn)日(r®£±±ì)便宣布将在銅鑼興建先進封裝廠(chǎng)≤¶，英特爾跟超微(wēi)則聯合開(kāi)發概念上(shàng)>♣類似台積電(diàn)CoWoS封裝技(ε<♦jì)術(shù)的(de)EMIB封裝，并借此聯合推出搭載了(leε≥)英特爾CPU、超微(wēi)GPU的(de)模組解決方♠₽案。
不(bù)過，目前EMIB封裝隻用(yòng↔¥®)來(lái)串聯GPU跟周邊的(de)HB∞≤M記憶體(tǐ)，CPU跟GPU之間(jiān)的(≠<de)連線還(hái)是(shì)藉由模←↔γ組基闆上(shàng)的(de)PCIe來(lái)實現(xiàn)≤π。或許在未來(lái)，EMIB也(yě∞∑)有(yǒu)機(jī)會(huì)用(yòng)來(lái)實¶↓¶≈現(xiàn)CPU跟GPU之間(jiā®<≈‍n)的(de)互聯，而這(zhè)也(yě)意味著(zhe)台積電(diàn)↕≈☆±除了(le)InFO、CoWoS之外(wài)，在先進封裝上(shàng)還α $(hái)會(huì)有(yǒu)其他(tā)牌可(kě)打。該公司對(du÷  ✘ì)先進封裝的(de)投入，不(bù)是(shì)隻£λ≥有(yǒu)産能(néng)擴張這(zhè)麽簡單。
半導體(tǐ)供應鏈上(shàng)各家(jiā)廠✔•∑(chǎng)商之間(jiān)的(de)關系正在大(dà☆±)洗牌，昨日(rì)的(de)合作(zuò)δπ≥夥伴，未來(lái)可(kě)能(nén←¥>✔g)是(shì)最大(dà)的(de)競争對(duì)手 ✘α；本來(lái)井水(shuǐ)不(bù)犯河(hΩπ∞™é)水(shuǐ)的(de)兩家(jiā)廠(chǎng)££©商，也(yě)可(kě)能(néng)瞬£>間(jiān)成為(wèi)競争關系；勢不(bù)兩立幾✔σ十年(nián)的(de)死對(duì)頭，也(yě)±↔✔±有(yǒu)可(kě)能(néng)坐(zuò)下(xià)來(lái)談δ↔聯合技(jì)術(shù)研發。半導體(tǐ•♦≠‌)産業(yè)的(de)未來(lái)，顯然還(hái)很(hě™✔♥n)有(yǒu)看(kàn)頭。
晶圓制(zhì)造主要(yào)設備市(shì)場(¶☆σchǎng)情況
根據2017年(nián)SEMI公布的(de)數(shù)據，在集成電(di±™δ₩àn)路(lù)制(zhì)程中，晶圓制(zhì)造設備投入φ¶♦£占比約占設備投資的(de)80%，而封裝、測試設備投入則占比分(fβεēn)别為(wèi)9%和(hé)6%。在制(z☆"ε'hì)造過程中，最主要(yào)、價值最昂貴的(de)§&三類分(fēn)别是(shì)沉積設備，包括PECVD，LPCVD等、刻蝕₩♦≈設備、光(guāng)刻機(jī)，占半導體(tǐ)晶圓廠(chǎng)設備≥<δ總投資的(de)15%、15%、20-25%。
而這(zhè)些(xiē)設備因為(wèε≠≠×i)被應用(yòng)于制(zhì)造，因此其精度和(héδ Ω)穩定性也(yě)要(yào)求最高(gāo) ≠&。而憑借技(jì)術(shù)資金(jīn)等優勢占據大(dà)份額的★←₽(de)龍頭企業(yè)在這(zhè)些(xiē)領域尤為(wèi)領先。
2017年(nián)全球營收前十大(dà)半導體(tǐ)設備公司
數(shù)據來(lái)源：各公司公告、國(guó)泰君安←Ω證券研究
幾乎壟斷了(le)高(gāo)端光(guā¶©♣≥ng)刻市(shì)場(chǎng)份額高(gā¶∏‍→o)達80%的(de)ASML，在CVD設備和(hé)PVD設備領域都(dō₩π&u)保持領先的(de)美(měi)國(guó)應用π<♠φ(yòng)材料（AMAT）以及刻蝕機(jī)設備領域龍頭Lam Resea¶σrch穩坐(zuò)前三。下(xià)面 ₽将就(jiù)沉積、刻蝕、光(guāng)刻這(zhè)三大(dà)領域及φ£♦代表公司進行(xíng)詳解。
1. 沉積設備
沉積是(shì)半導體(tǐ)制(zhì)程工(♥βgōng)藝中的(de)一(yī)個(gè)非常重要(yào)的(de)‌‍技(jì)術(shù)，分(fēn)為(wèi)物(wù)理(lǐ∏♣∞π)氣相(xiàng)沉積（PVD）和(hé)化(huà)學氣相(xi→™àng)沉積（CVD）。
PVD是(shì)英文(wén)Physicalπα•∑ Vapor Deposition的(de)縮寫，中文(wén)意思是(sh₩<ì)“物(wù)理(lǐ)氣相₩δ(xiàng)沉積”，是(shì)指Ωσ在真空(kōng)條件(jiàn)下(xià)，用↓↑(yòng)物(wù)理(lǐ)的(de)方法使材料沉積在被鍍工(gōn&÷ g)件(jiàn)上(shàng)的(de)薄膜制(zhì)備技(§∞ jì)術(shù)。
PVD鍍膜技(jì)術(shù)主要(yàλ±$πo)分(fēn)為(wèi)三類，真空(kōn&★​→g)蒸發鍍膜、真空(kōng)濺射鍍和(hé)真空(kōng) ‌離(lí)子(zǐ)鍍膜。對(duì)應于PVD技(jì)術(shù) $<‍的(de)三個(gè)分(fēn)類，相(xiàng)應的(d€↕e)真空(kōng)鍍膜設備也(yě)就(jiù)有(yǒu)真空( ∞ kōng)蒸發鍍膜機(jī)、真空(kōng)濺射鍍膜機(♦€☆×jī)和(hé)真空(kōng)離(lí)子(zǐ)鍍膜機(jī<§¶)這(zhè)三種。
CVD是(shì)英文(wén)Chemical Vapor DepΩ±‍osition的(de)縮寫，中文(wéΩ​€n)意思為(wèi)“化(huà)學氣相(xiàng)沉積&rdλ​quo;，是(shì)半導體(tǐ)工(gōng)業(yè)中應用→©(yòng)最為(wèi)廣泛的(de)用(yòng)來(lái)沉積多÷↔λε(duō)種材料的(de)技(jì)術(shù)，其可(kě)‍Ω¶¥用(yòng)于沉積大(dà)範圍的(de)絕緣✔→材料、大(dà)多(duō)數(shù)金(jīn)屬材料和(hé)金(÷​×jīn)屬合金(jīn)材料。從(cóng)理(lǐα♥§♠)論上(shàng)來(lái)說(shuō)，化(huà)學氣相(x↔ε≈iàng)沉積法時(shí)将兩種或兩種以上(shàng)的(de)氣态原材€≠ '料導入到(dào)一(yī)個(gè)反應室內(nèi)，然後他(tāφ₽)們相(xiàng)互之間(jiān)發生(shēng)化(huà)學↕☆®反應，形成一(yī)種新的(de)材料，沉積到(dào)晶片表面上(¶₽™shàng)。
在集成電(diàn)路(lù)制(zhì)成中，經常使≈πδ用(yòng)的(de)CVD技(jì)術(shù)有(yǒu)：σσ$大(dà)氣壓化(huà)學氣相(xiàng)沉積（APCVD）↔±、低(dī)氣壓化(huà)學氣相(xiàng)沉₹±εδ積（LPCVD）、等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)增強<∑¥化(huà)學氣相(xiàng)沉積（P< ECVD）以及新型氣相(xiàng)外(wài)延生(s ↓✔hēng)長(cháng)技(jì)術(shù)金(jīn)屬σ↔有(yǒu)機(jī)化(huà)合物(wù)化(huà§​<)學氣相(xiàng)沉積（MOCVD）等。±&相(xiàng)應的(de)設備也(yě)就(jiù)有(✔♥β↑yǒu)APCVD設備，LPCVD設備，PECVD設備☆→以及MOCVD設備。
代表企業(yè)：AMAT
美(měi)國(guó)應用(yòng)材料股份有(yǒu)限公司A→∏₹MAT是(shì)最大(dà)的(de)納米制(zhì)造技(jì)術(sh±λ✔ù)企業(yè)。自(zì)1967年(α&nián)成立以來(lái)至今，作(zuò)為(wè®₽☆i)全球最大(dà)的(de)半導體(tǐ)與顯示行(x♦∏ £íng)業(yè)制(zhì)造設備供應商，産品與服務已覆←‍↑蓋原子(zǐ)層沉積、物(wù)理(lǐ)氣相(xiàng)沉積✔ ↕、化(huà)學氣相(xiàng)沉積、刻蝕、快(kuài)速熱(rè↔↑•)處理(lǐ)、離(lí)子(zǐ)注入、測量與檢測、清洗等生(shē →σσng)産步驟。特别是(shì)其沉積設備技(jì) δ™≤術(shù)更是(shì)全球領先。在PVD設備市(shì)場(ch∞δ>ǎng)，AMAT全球占比近(jìn)55%，在CVD市☆‍(shì)場(chǎng)，AMAT全球占比近(jìn)30%。
在2018年(nián)，公司推出采用(yòn ¥g)全新設計(jì)的(de)新型CENTUR€↑®A 200毫米常壓厚矽外(wài)延反應室PRONTO。δ↔☆ε該反應室專為(wèi)生(shēng)産工(gōng)業(yè)級高(gāo)≥ ♠質量厚矽（厚度為(wèi)20～150微(wēi)米）≤™♣外(wài)延膜而設計(jì)，能(néng)使當前的♠β©(de)外(wài)延膜生(shēng)産效率最大(dà✘♦φ')化(huà)。
2. 刻蝕設備
刻蝕是(shì)采用(yòng)物(wù)理(lǐ)或者化(huà₹→↓↕)學的(de)方法，通(tōng)過掩膜圖形使薄膜材料選擇性銷蝕的(Ω↑♥'de)技(jì)術(shù)，是(shìγ¥₽→)薄膜制(zhì)備的(de)“反”過程₩σ。
刻蝕分(fēn)為(wèi)濕法刻蝕和(hé)幹法刻蝕&♦'Ω兩類。濕法刻蝕是(shì)将矽片浸泡在可(kě)與被刻蝕薄膜進行(α∏xíng)反應的(de)溶液中，用(yòng)化(huà)學方法除去(qù₽∞γ✘)不(bù)要(yào)部分(fēn)的(de)薄膜。早期制(zhì)造♦≠<業(yè)以濕法為(wèi)主。當半導體(tǐ)制(zhì)造業(yè)進入微>δ♣(wēi)米、亞微(wēi)米時(shí)代以後，要(yào ±​)求刻蝕的(de)線寬越來(lái)越細，♠♦β↑傳統的(de)濕法化(huà)學刻蝕因其固有(yǒu)的(de)橫© ∞‍向鑽蝕，無法控制(zhì)線寬，甚至造成斷裂，已不(bù)再σ€适應科(kē)研及生(shēng)産的(de)要(yào)求，取而代之γπγ₽的(de)是(shì)以等離(lí)子(zǐ)體(t±‍♣ ǐ)技(jì)術(shù)為(wèi)基礎的'✔(de)幹法刻蝕方法。這(zhè)種方法是(shìλ<)将被加工(gōng)的(de)矽片置于等離(lí)子(z< §ǐ)體(tǐ)中，在帶有(yǒu)腐蝕性、具有(yǒu)一(yī)定‌≠↕™能(néng)量離(lí)子(zǐ)的(de)轟擊下(xià)，反應生(s↑γ★≠hēng)成氣态物(wù)質，去(qù)除被刻薄膜，此種方法具有↕≤™(yǒu)各向異性。
幹法刻蝕種類較多(duō)，常見(jiàn)的(de)有×∞ε®(yǒu)等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)刻蝕（分(fēn)為(w £èi)圓筒型和(hé)平行(xíng)電(diàn)極型）、反應離(l ↔≠↔í)子(zǐ)刻蝕、濺射刻蝕、離(lí)<€δ子(zǐ)束刻蝕、反應離(lí)子(zǐ)束$≠刻蝕等。相(xiàng)應的(de)設備就(jiù)有(yǒu₩↑)等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)刻蝕機(jī)、反應離(lí)子(z≈¥ǐ)刻蝕機(jī)、離(lí)子(zǐ)∞α§束刻蝕機(jī)等。
代表企業(yè)：Lam Research
Lam Research Corporation創立于1980年(ni☆≤§án)，總部位于美(měi)國(guó)加州弗裡(lǐ)蒙特，是(sh ♦♣ì)向世界半導體(tǐ)産業(yè)提供晶圓制(zhì)造設≈λ備和(hé)服務的(de)主要(yào)供應商之一(yī)，是(shì)→§目前全球第三大(dà)半導體(tǐ)生(s♠‍hēng)産商。
公司的(de)三大(dà)核心産品是(shì)：刻蝕（E‍≤TCH--RIE/ALE）設備、沉積（Depos☆♥ition--CVD/ECD/ALD）設備，以及去(qù)光(guāng)Ω≥©阻和(hé)清洗（Strip & Cle¶α'an）設備。
Lam Research通(tōng)過專利刻蝕技(jì​♣&∞)術(shù)-變壓器(qì)耦合等離(lí)子☆∑(zǐ)（TCP，transformer  ≤‍≈coupled plasma）提供高(gāo)水(​‍¶"shuǐ)平的(de)刻蝕，鞏固了(le)Lam Research在半導體(tδ↓​ǐ)業(yè)界的(de)地(dì)位。目前Lam Research'♥占有(yǒu)全球刻蝕設備市(shì)場(chǎng)♦✘一(yī)半以上(shàng)的(de)市(shì)場(chǎng)$‍份額。
3. 光(guāng)刻機(jī)
光(guāng)刻機(jī)是(shì)芯片制(zhì)造的(de)核₩π心設備之一(yī)，按照(zhào)用(yòng)途可(k<σβě)以分(fēn)為(wèi)好(hǎo)幾種：有±λ(yǒu)用(yòng)于生(shēng)産芯片的(de)光(guān↔↑ g)刻機(jī)；有(yǒu)用(yòng)于封裝的(≈ de)光(guāng)刻機(jī)；還(hái)有(yǒu)用(yòng)↕ε 于LED制(zhì)造領域的(de)投影(yǐng)光(guān€♣∏g)刻機(jī)。
在加工(gōng)芯片的(de)過程中，光(guā"∏σng)刻機(jī)通(tōng)過一(yī)系列的 ✘(de)光(guāng)源能(néng)量、形狀控制(↔♣¥ zhì)手段，将光(guāng)束透射過畫(huà)著(zh≥®e)線路(lù)圖的(de)掩模，經物(wù)鏡補償各種光(guāng)學誤≤←§π差，将線路(lù)圖成比例縮小(xiǎo)後£₩​₩映射到(dào)矽片上(shàng)，然後使用(yò™≥±‍ng)化(huà)學方法顯影(yǐng)，♠$>→得(de)到(dào)刻在矽片上(shàng)的(de)電(diàn)路☆γ(lù)圖。一(yī)般的(de)光(guāng)刻工(©≤gōng)藝要(yào)經曆矽片表面清洗烘幹、塗底、旋塗光(guāng↔↑γε)刻膠、軟烘、對(duì)準曝光(guāng)、後烘、顯影(yǐng)、硬烘β≥↕φ、激光(guāng)刻蝕等工(gōng)序。經過一(yī)次光(×♠σπguāng)刻的(de)芯片可(kě)以繼續塗膠、曝光(guāng)。♣γ越複雜(zá)的(de)芯片，線路(lù)圖的↑★γ(de)層數(shù)越多(duō)，也(₹‌€‌yě)需要(yào)更精密的(de)曝光(guāng)控制(zhì)過≈"≈程。
代表企業(yè)：ASML
1984年(nián)，ASML從(cóng)荷蘭著名©₩電(diàn)子(zǐ)制(zhì)造商飛(fēi)利浦獨立，此♦✘後主要(yào)專精于晶片制(zhì)造微(wēi)縮影(yǐn★→ φg)設備之設計(jì)制(zhì)造與整合，積體(tǐ)電(d↓'iàn)路(lù)生(shēng)産流程中，其關鍵的(de)制(zhì)程技(<φ✘€jì)術(shù)則是(shì)微(wēi)縮影≥✔¥(yǐng)技(jì)術(shù)将電(diàn)路(lù)圖影(yǐng)€&™✘像投射在晶片上(shàng)之曝光(guāng)。
阿斯麥公司在世界14個(gè)國(guó)家(jiā)和(hé)地♣±★Ω(dì)區(qū)有(yǒu)50個(gè)子(zǐ)公÷↔©÷司和(hé)生(shēng)産據點，主要(yàφ♥≈o)産品是(shì)用(yòng)來(lái)生(shēng)産大(dà)規模≥₽δ集成電(diàn)路(lù)的(de)核心設備↓™光(guāng)刻機(jī)，在世界同類産品中有(yǒu)9®∏→®0%的(de)市(shì)占率。
今年(nián)，ASML已經開(kāi)始出貨新品Twinscan NXT✘™∑:2000i DUV（NXT:2000i雙工(gōng)件(jiàn)台深紫₩&外(wài)光(guāng)刻機(jī)），可(kě)用(yòng)于7n​'↔m和(hé)5nm節點。
值得(de)一(yī)提的(de)是(shσ<≠¥ì)，ASML有(yǒu)一(yī)個(gè)非→↕εε常奇特的(de)規定，那(nà)就(jiù)是(shε✔>♦ì)隻有(yǒu)投資ASML，才能(néng)夠獲得(de•♣)優先供貨權。這(zhè)樣奇特的(de)合作(zuò)模式使得(de)A"≠™₽SML獲得(de)了(le)大(dà)量的(de)資金(jīn)，包括英特<∏×爾、三星、台積電(diàn)、海(hǎi)力士都(dōu)在ASML ε∏中有(yǒu)相(xiàng)當可(kě)觀的(de)股份，可(α≠‍kě)以說(shuō)大(dà)半個(gè)半導體(tǐ§φ↑ )行(xíng)業(yè)都(dōu)是(shì)ASML一(yī)家(jiā​∞₽)的(de)合作(zuò)夥伴，形成了(le)龐大(dà)的(d"✘e)利益共同體(tǐ)。
半導體(tǐ)裝備是(shì)一(yī)π<個(gè)高(gāo)度壟斷的(de)市•$∏(shì)場(chǎng)。根據各細分(fēn®÷₹)設備市(shì)場(chǎng)占有(yǒu)率統計(jì)數(shù)據↕↔₽，在光(guāng)刻機(jī)、CVD、P↓≠•✘VD及刻蝕機(jī)，前三家(jiā)設<>™×備商的(de)總市(shì)占率都(dōu)←→₹✘達 90%以上(shàng)，且行(xíng)業(yè)龍ε→頭都(dōu)能(néng)占據一(yī)半的(de)市(shì)場(c≠↓hǎng)，所以要(yào)想在半導體(tǐ)裝備市(shì)場(chǎn✘↑g)中能(néng)分(fēn)一(yī)杯羹，公司就(jiù)必須在細÷↓ε'分(fēn)領域能(néng)夠做(zuò)到(dào→™♦★)全球前三。
中國(guó)半導體(tǐ)制(zhì)造設備企業α± (yè)
2016年(nián)中國(guó)半導體(tǐ)設備銷售收入總計(j↕ ±ì)57.33億元，同比增長(cháng)21.5%，其中前十強'₩&單位完成銷售收入47.7億元，同比增長(cháng)28.5♣Ω%，也(yě)就(jiù)是(shì)說(shuō)，前 ♦十強的(de)增速快(kuài)于整體(tǐ)增速，市(s≥ hì)場(chǎng)集中度在不(bù)斷提高(gāo)，可(k€ ě)喜可(kě)賀。
2016全國(guó)半導體(tǐ)設備十強 數(shù)ελ 據來(lái)源：中國(guó)半導體(tǐ)産業(yè)協會(h™'uì)
從(cóng)圖中可(kě)以看(kàn)到(dào)，國(guó)&​內(nèi)的(de)設備公司在前道(dào)制(zhì)造中有(yǒu)一(β©™<yī)席之地(dì)有(yǒu)：中電(d'‍α♠iàn)科(kē)、北(běi)方華創、中微≤★(wēi)半導體(tǐ)、上(shàng)海(hǎi)微•ε<≤(wēi)電(diàn)子(zǐ)。下(xià)面就(jiù)來€¥(lái)介紹這(zhè)幾家(jiā)公司：
1. 中電(diàn)科(kē)電(diàn)子(zǐ)裝備公司
中電(diàn)科(kē)電(diàn)子(zǐ)裝≠♣備集團有(yǒu)限公司是(shì)在中國(guó)電(d∞‌☆•iàn)子(zǐ)科(kē)技(jì)集團公司πγ2所、45所、48所基礎上(shàng)組建成立的(de)'‍≥二級成員(yuán)單位，屬中國(guó)電(diàn)子(zǐ)科(kē)•γπ技(jì)集團公司獨資公司，具備集成電(diàn)路(lù)局部成套和(h ÷é)系統集成能(néng)力以及光(guāng)伏太δλ‌陽能(néng)産業(yè)鏈整線交鑰匙能(néng<λδ)力。已形成以離(lí)子(zǐ)注入機(jī)、電(diδ àn)化(huà)學沉積設備等為(wèi)代表的(de)微(wēi)電(diàα♣n)子(zǐ)工(gōng)藝設備研究開(kāi)發與生(shēng)産制(z<®hì)造體(tǐ)系，可(kě)服務于材料加σσ工(gōng)、芯片制(zhì)造、先進封裝‌↕和(hé)測試檢測等多(duō)個(gè)→'領域。
中電(diàn)科(kē)裝備公司主營業(yè)務是(s₽☆÷hì)光(guāng)伏。不(bù)過在中電(diàβ€σn)科(kē)電(diàn)子(zǐ)的(de)不₽ (bù)斷努力下(xià)，公司在離(lí)子(zǐ)注入★‍機(jī)和(hé)CMP（化(huà)學機(jī)械抛光(guāng)機( ₹αjī)）兩個(gè)領域實現(xiàn)了(le)重大(dà)突破。
承擔02專項後，電(diàn)科(kē)裝備在離(lí)子‍γ(zǐ)注入機(jī)方面的(de)研發可( ↓↔kě)謂是(shì)一(yī)年(nián)邁一φ‌<(yī)個(gè)台階。在14年(nián)通(tōng)∑₩π 過02專項的(de)驗收後，其離(lí)子(zǐ)注入機(jī↕♣π)即在中芯國(guó)際投入使用(yòng)。
2015年(nián)，電(diàn)科(kē↕↓δ&)裝備12英寸中束流離(lí)子(zǐ)注入機(jī)在中芯國(gu× >ó)際先後完成了(le)55nm、45nm和(hé)40nm小(xi↔∏←ǎo)批量産品工(gōng)藝驗證，并開(kāi)始批量生←↔(shēng)産，逐步提升産能(néng)，增加驗證機(jī)台的(deλ♠✔π)數(shù)量。同年(nián)，中束流設備實現(xiàn)₩π≥了(le)批量銷售，量産晶圓超過300萬片。
2016年(nián)，用(yòng)于45nm~22nm低(dī)能(né÷‍♥ng)大(dà)束流離(lí)子(zǐ)∑™φ注入機(jī)與中束流離(lí)子(zǐ)注入機(jī)通(t♣φōng)過了(le)28nm工(gōng)藝制(zhì)程同步驗證，已↓♥經實現(xiàn)銷售。
2017年(nián)，電(diàn)科(kē)裝備離(lí§ε‌)子(zǐ)注入機(jī)批量制(zhì)造條ε♠± 件(jiàn)廠(chǎng)房(fáng↕βπ)及工(gōng)藝實驗室已投入使用(yò‌→ng)，重點打造離(lí)子(zǐ)注入機(jī)零部件<≥♣(jiàn)檢測、模塊裝配及局部成套三大(dà)平台♦><，可(kě)實現(xiàn)10台設備同時(shí)組裝調₽↑&♣試，具備年(nián)産20台以上(shàng)的(de)批量制(zh¶™ ​ì)造能(néng)力，具備集成電(diàn)路(lù)裝備系★λ統集成能(néng)力及局部成套工(gōng)藝生(shēng)産能(nén <αg)力。
在CMP抛光(guāng)機(jī)方面，中電(diàγ✔€n)科(kē)裝備也(yě)有(yǒu)了(le)新的(de)突♦↑δγ破。2017年(nián)8月(yuè)，電(diàn)科(kē)裝備成功研₽↓&↕發出了(le)國(guó)內(nèi)首台擁有(yǒu)完全自(zì)¥>主知(zhī)識産權的(de)200mm化(h ®✘uà)學機(jī)械抛光(guāng)商用(yòng)機(jī)₩♠，研發團隊在3年(nián)的(de)時(shí)間(jiān)裡($≤lǐ)突破了(le)10餘項關鍵技(jì)術(shù)，完✘§成技(jì)術(shù)改進50餘項，經過3個(gè)批次近(j☆•ìn)10000片的(de)馬拉松測試，性能(néng)指标≤↑¶獲得(de)中芯國(guó)際工(gōng)程師(shī)★★的(de)好(hǎo)評，并于2017年(nián)11月¥✘(yuè)21日(rì)成功在中芯國(guó)≥δ±♦際天津廠(chǎng)8英寸大(dà)生(shēng)産線裝機(↕&γjī)驗證，已經進入24小(xiǎo)時(shí)生(shēn♠∏®g)産階段。
在沉積設備方面，也(yě)有(yǒu)PEC±Ω↔☆VD的(de)産品。
就(jiù)在今年(nián)8月(yuè)，電(diàn™<≠>)科(kē)裝備正式發布了(le)“S♥↑‍®EMICORE爍科(kē)”系列品牌，将把  ‍離(lí)子(zǐ)注入機(jī)和(hé)CMP設備注入爍科×λ>β(kē)裝備，推動其進入生(shēng)産線批量應用(yòngλ££)，實現(xiàn)進口替代、自(zì)主可(>≤<✔kě)控，具備國(guó)際競争能(néng)力。✔→®↑
2. 北(běi)方華創
北(běi)京北(běi)方華創微(wēi)電(diàn)子(zǐ)裝σ↓≠備有(yǒu)限公司是(shì)北(běi)方華創科(kē)技(jì)☆↓集團股份有(yǒu)限公司的(de)全資子(zφ÷ǐ)公司，主營業(yè)務由原七星電(diàn)子(zǐ)的(de)半導體&∑÷(tǐ)裝備相(xiàng)關業(yè)務與原北(běi)方微(w★π"∏ēi)電(diàn)子(zǐ)的(de)全部業(yè)務整合而成。産品≠©涵蓋：等離(lí)子(zǐ)刻蝕、物(wù)理(lǐ)氣相↓÷(xiàng)沉積、化(huà)學氣相(xià<±✘★ng)沉積、氧化(huà)/擴散、清洗、退 ±火(huǒ)等半導體(tǐ)工(gōng)藝裝備；平闆顯示制ε↕∞♥(zhì)造裝備和(hé)氣體(tǐ)質量流量控制(zhì)器(qì)等核‌§₽♣心零部件(jiàn)。涉及集成電(diàn)路(lù)、先進封裝、LED∑ ★₩、MEMS、電(diàn)力電(diàn)子(zǐ₽€)、平闆顯示、光(guāng)伏電(diàn)池等半導體(↓δΩ♦tǐ)相(xiàng)關領域。
北(běi)方華創目前和(hé)所有(yǒu)國(guó)內(nè↓÷÷i)大(dà)廠(chǎng)都(dōu)有(yǒσ'u)合作(zuò)，比如(rú)正在武漢和(hé)南(nán λ<)京如(rú)火(huǒ)如(rú)荼建設的(de)長(ch ✘áng)江存儲公司，3D NAND FLA↓♦↔δSH産線的(de)氧化(huà)爐設備就(ji ​ù)有(yǒu)采用(yòng)北(běi)方華創的(de)産品，2017年(λ®nián)11月(yuè)搬入産線。
在氧化(huà)爐領域，2017年(nián)11月(yuè)γε≠30日(rì)，北(běi)方華創下(xià)屬子(z‍₽σǐ)公司北(běi)方華創微(wēi)電(diàn)子(zǐ)自(zì)主φ↑$♥研發的(de)12英寸立式氧化(huà)爐THEORISO 302 ✔ε™Move In長(cháng)江存儲生(shēng)産線，β✘‌×應用(yòng)于3D NAND FlasΩ>h制(zhì)程，擴展了(le)國(guó)産立式氧化(huà)爐的€ ₹(de)應用(yòng)領域。
在矽刻蝕機(jī)領域，在2003年(nián)啓≥±∏ 動研制(zhì)時(shí)，中國(guó)和&€₹✘(hé)國(guó)外(wài)差距在20年(ni→☆án)以上(shàng)，僅僅能(néng)夠制(z®♣<✔hì)造90nm制(zhì)程，在國(guó)∑ ∞ε家(jiā)02專項的(de)支持下(xià≤₽☆)，北(běi)方華創在矽刻蝕機(jī)領域不(↔¥€bù)斷實現(xiàn)突破，先進制(zhì)程工(gōng≈★)藝一(yī)路(lù)上(shàng)揚，28nm，22nm都(dōu)' δ↑實現(xiàn)了(le)突破，2016年(nián)研'∑®₽發出了(le)14nm工(gōng)藝的(de)矽刻蝕機(jī)，更∑↑✔先進的(de)7nm矽刻蝕機(jī)也(yě)正研發₩↔↔π中。
除了(le)氧化(huà)爐和(hé)刻蝕機(jī)領域以外(wài)，北(bδ♣ěi)方華創在PVD設備（物(wù)理(lǐ)氣相(xiàng ✘÷®)沉積，薄膜沉積設備的(de)一(yī)種）和(hé)單片退火(huǒ)設備領σ¥域也(yě)實現(xiàn)了(le)批量出貨，目前主要(¥$​♣yào)在28nm級别。
在薄膜沉積設備領域，北(běi)方華創進展較快(kuài)，>©β多(duō)種14nm的(de)生(shēng)産設備也(≥®yě)在産線驗證中，包括ALD，AL PVD，L•©PCVD，HM PVD等，基本都(dōu)是(sh✔≠ 'ì)不(bù)同的(de)沉積設備，目的(de)是(s♣↑hì)制(zhì)作(zuò)氧化(huà)薄膜，便于絕π≥Ω緣，和(hé)控制(zhì)不(bù)同的(de)雜(zá)質擴散速度£₽，或者金(jīn)屬化(huà)，PVD是(shì)物(wù)理(lǐ)氣×←β相(xiàng)沉積，CVD是(shì)化(huà)學氣相(xiàng)≥<£¥沉積，ALD是(shì)原子(zǐ)層沉積，他(tā)們的(de)工(gō>γ©πng)作(zuò)原理(lǐ)不(bù)同'•←®，但(dàn)是(shì)目的(de)是(shì)一(yī)樣→δ★♠的(de)。
除了(le)這(zhè)三大(dà)類設備外(wài)，北(běi)方✔π華創還(hái)有(yǒu)第四種關鍵設備：清洗機(π'¶jī)。
2017年(nián)8月(yuè)7日(rì)，北(€φ←běi)方華創1500萬美(měi)元，也(yě)就(jiù)是(sh$"±ì)才1億人(rén)民(mín)币多(d ‌  uō)點實現(xiàn)了(le)對(duì)美(měi)國(ε®©♣guó)Akrion公司的(de)收購(gòu)。Akrion公←‌♦♣司是(shì)位于美(měi)國(guó)賓夕法尼亞州的(de)一(‍βyī)家(jiā)專注于矽片清洗設備業(yè)務的(de)公司，主要(yà↕↑o)用(yòng)于集成電(diàn)路(lù)制♣"(zhì)造領域，矽晶圓制(zhì)造領域、微(wēi)機(jī)電(diàφ≈‍n)系統和(hé)先進封裝領域，該公司擁有∏∏'✔(yǒu)多(duō)年(nián)的(de)清洗技(jì)術(shù)積累>≥和(hé)廣泛的(de)市(shì)場(chǎng)與客↑ $ε戶基礎，累計(jì)在線機(jī)台千餘台。
北(běi)方華創自(zì)研的(de)12英寸單片清洗機(j§€π♥ī)産品主要(yào)應用(yòng)于集成電(diàn)路(♥‌♠lù)芯片制(zhì)程，成功收購(gòu)Akrion公司，北(b↓®ěi)方華創微(wēi)電(diàn)子(z∞±₩ǐ)的(de)清洗機(jī)産品線将得(de)以補充，±£₽形成涵蓋應用(yòng)于集成電(diàn)路(lù)、先進封裝、功率器​α↑<(qì)件(jiàn)、微(wēi)機(jī)電(diàn)系統 Ω和(hé)半導體(tǐ)照(zhào)明(♣ ✔míng)等半導體(tǐ)領域的(de)8-12英寸批式和(hé)單片清洗機(®∑♥←jī)産品線。
實際上(shàng)，根據北(běi)方華創2017年(nián)披露的(σ de)2016年(nián)年(nián)報(bào)，其自(z죀♠€)研的(de)12英寸清洗機(jī)到(dào)2016年(nián)♣$€✔底的(de)累計(jì)流片量已突破60萬片，收購(‌₽gòu)Akrion之後，北(běi)方華創的(de)實力進一(yī)步加強<δ×$。
3. 中微(wēi)半導體(tǐ)
中微(wēi)半導體(tǐ)是(shì)尹志(zhì)✔₩σ堯創辦，他(tā)之前是(shì)全球最大(dà)的(de)半導體(tǐ)生(♣✔₽€shēng)産設備商應用(yòng)材料公司的(de)副總裁，回國(g★☆δ∏uó)創辦中微(wēi)。
中微(wēi)的(de)産品，主要(yào)是(s↔™εhì)三大(dà)領域，一(yī)個(gè)是(s•♥®‍hì)LED芯片的(de)MOCVD機(j₹$♣♣ī)台，這(zhè)個(gè)是(shì)LED芯片制£'&(zhì)造的(de)核心設備，以緻于衡量芯片廠(chǎng♦☆♣)家(jiā)的(de)制(zhì)造能(néng)力，都(♦✔‍dōu)是(shì)用(yòng)它有(yǒu<♥γ)多(duō)少(shǎo)MOCVD機(jī)台∑γ↓♥來(lái)衡量，機(jī)台數(shù)量越多(duō)的(deπ↑♠×)産能(néng)越大(dà)。國(guó)産MOCVD設備從(cóng)20≤‍ ♥12年(nián)底研發成功，到(dào)2016‌™年(nián)開(kāi)始完成批量驗證，目前處于迅速上(shàng)升™α♥的(de)态勢。經過不(bù)斷洗牌，中微(wē★£i)半導體(tǐ)已占據領先地(dì)位，目前國(gu α→ó)産MOCVD市(shì)場(chǎng)份額已呈現(xiàn)增長(c±<φháng)局面。
中微(wēi)半導體(tǐ)的(de)另外(w&©ài)一(yī)個(gè)領域，主要(yào)是(shì)¥♦其最早開(kāi)始研發，具有(yǒu)多(duō)年(nián)經驗的(deδ☆±)介質刻蝕機(jī)，這(zhè)個(gè) ←♣♦目前是(shì)用(yòng)在集成電(diàn)路(l✘‍∏ù)芯片制(zhì)造上(shàng)面，目​★₩∑前已經可(kě)以做(zuò)到(dào)22nm及其以下( ←xià)，且中微(wēi)半導體(tǐ)的(de)14nm也(yě)在産線進€> 行(xíng)驗證，同時(shí)在推進5nm的(de)聯合研究。
目前總體(tǐ)而言，中微(wēi)處于比較好(hǎo)的(de)發展态勢♣☆，MOCVD機(jī)台已經經受住了(le)量産的(de)考驗，ε∑↕将會(huì)迎來(lái)大(dà)批量出貨時(shí)期，其多÷>(duō)年(nián)來(lái)集中力量攻關的(de$<)等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)介質刻蝕機(jī)，已βε×←經在國(guó)際大(dà)廠(chǎng)部署多(d≤βσ uō)年(nián)，同時(shí)目前也(yě)開(∞δ>∞kāi)始進入最先進的(de)5nm制(zhì)程的(de)預研。¥♥α♦
4. 上(shàng)海(hǎi)微(wēi)電(diàn)子(zγ≥ǐ)公司
上(shàng)海(hǎi)微(wēi)電(di∏→≤★àn)子(zǐ)裝備（集團）股份有(yǒu•×₽)限公司是(shì)一(yī)家(jiā)掌握了(le)高(g©↕āo)端光(guāng)刻機(jī)相(xiàng)關技(jì)術(shù)‍δ≈且具有(yǒu)高(gāo)端投影(yǐng)光(guāng)刻機(Ω₹₹↕jī)生(shēng)産能(néng)力的(de)企業(γ"yè)。于今年(nián)3月(yuè)份，與全Ωπ$★球領先的(de)半導體(tǐ)設備企業(yè)A✔&≠SML簽署了(le)戰略合作(zuò)備忘錄。公司© £‌主要(yào)從(cóng)事(shì)半導體(tǐ)裝備、泛半導體(tǐ"€)裝備、高(gāo)端智能(néng)裝備的(de)開(kāi)發、設計(j>£ ♣ì)、制(zhì)造、銷售及技(jì)術(shùφ×)服務。旗下(xià)産品可(kě)應用(yòng)于集成電(diàn® ∑α)路(lù)前道(dào)、先進封裝、FPD面闆εαε₽、MEMS、LED、Power Devices等制(zhì)造領域。±®
總結
目前，中國(guó)半導體(tǐ)設備已有(₹∞yǒu)了(le)一(yī)定的(de)基礎，雖然γ‌✔σ設備總量不(bù)大(dà)，但(dàn)一(yī)直并保♣>持著(zhe)高(gāo)速增長(cháng)的(de∞α)态勢。但(dàn)需要(yào)認清的(de)是(shì)Ω↔↓"，目前我國(guó)的(de)技(jì)術(£∑shù)實力與國(guó)外(wài)相(xiàng)比仍存<☆在較大(dà)的(de)差距，尤其與市(sh" ì)占率超80%的(de)設備企業(yè)如(rú)ASM≈"₹♠L、應用(yòng)材料等相(xiàng)比，實力偏弱且絕大(dàλ↕σ↓)部分(fēn)設備廠(chǎng)商無法滿足國(guó ‌✘)際已經實現(xiàn)量産的(de)制(zhì)程，÷¥$±較難進入國(guó)際代工(gōng)巨頭¶ε的(de)産線。
當然，在落後的(de)局面下(xià)，我國(guó)半導體(tǐ)設♦ε♦備也(yě)在奮起直追，并取得(de)了(l↑ ≠e)一(yī)定成績，在國(guó)內(nèi)産線上♥ε‍±(shàng)已經進行(xíng)了(le)一(yī)部§™>β分(fēn)國(guó)産替代。半導體(‌∏✔§tǐ)設備是(shì)我國(guó)發展半導體(tǐ)集成δ ¶電(diàn)路(lù)的(de)基石，我 α們要(yào)把握好(hǎo)先行(xín‌π∑g)條件(jiàn)，率先推進，争取早日(♦♥≈rì)完成進口替代。