[ 國(guó)産半導體(tǐ)設備迎來(lái)新的(®£≈≠de)契機(jī)。數(shù)據顯示，2017年(niá"π→&n)中國(guó)大(dà)陸半導體(tǐ)設備銷售額約占全球Ω<的(de)15%，預計(jì)2020年(nián)占比将超過20→✔®%，約170億美(měi)元。 ]
在新建産線的(de)推動下(xià)，2018πσ‍年(nián)中國(guó)半導體(tǐ)設備需求激增近(jβεπ≤ìn)五成，但(dàn)國(guó)産設備的(de)自(zì)給率隻有(yǒ£±u)12%。
“難度不(bù)亞于做(zuò)兩彈一(y•≥εī)星。”中微(wēi)公司董事(shì)長(cháng)​₽¶☆兼首席執行(xíng)官尹志(zhì)堯這(zhè)樣評價半導體(tǐ)設備∏π産業(yè)發展的(de)難度。
12月(yuè)8日(rì)，在首屆臨港∑β∞新片區(qū)投資論壇上(shàng)，與會(huì)的(de)企♠¶業(yè)家(jiā)提到(dào)了(le)半導體π≠(tǐ)設備行(xíng)業(yè)目前所面臨的(de)主要(y≈∏ào)挑戰，包括技(jì)術(shù)難度大(dà)、市( ↕shì)場(chǎng)高(gāo)度壟斷、研發周期長(chá₩→≥₩ng)、耗資巨大(dà)等問(wèn)題。不☆↓•(bù)過，在設備業(yè)越來(lái★γ)越受重視(shì)以及中國(guó)這(zhè)一(yī)巨大(dà↑α• )的(de)半導體(tǐ)市(shì)場(chǎng)γ♣ε下(xià)，國(guó)産設備業(yè)也(yě)有(yǒu)望快(±$kuài)速成長(cháng)。
集成電(diàn)路(lù)産業(yè)不(bù)僅覆↓±α蓋設計(jì)、制(zhì)造、封測上(shà&‍ng)下(xià)産業(yè)鏈，還(hái αφ)有(yǒu)EDA軟件(jiàn)、設備和(hé)材料等産業(yè)。γ₽近(jìn)幾年(nián)，各地(dì)此起彼伏的(de)&ldqσ≤>×uo;造芯熱(rè)”也(yě)離(↔↔lí)不(bù)開(kāi)半導體(tǐ)設備。如(rú)果沒有(yǒ®§→u)光(guāng)刻機(jī)、刻蝕機₽≥÷<(jī)等生(shēng)産設備，芯片生(shēng)産根本無法↑±'開(kāi)展。
“集成電(diàn)路(lù)領★§≠<域最大(dà)的(de)差距在于EDA（電(diàn)子(zǐ₽λ✔∞)設計(jì)自(zì)動化(huà)）和(h±≈é)設備，這(zhè)些(xiē)才是(shì)集成電(↑♦diàn)路(lù)自(zì)主可(kě)控的(↓>₹de)終極追求。”太平洋電(diàn)子(zǐ)首席分(f₹'ēn)析師(shī)劉翔在一(yī)份研報(bào©♣)中指出。
　不(bù)對(duì)稱競争
根據摩爾定律，每18個(gè)月(yuè)同面積下(xià)≤‍←≤晶體(tǐ)管數(shù)量翻倍。芯片制(zhì)造公司​♠想盡一(yī)切辦法在狹小(xiǎo)的(de)面積內(nèi)盡可(kě ←™)能(néng)地(dì)放(fàng)下(xλ©↕ià)更多(duō)的(de)晶體(tǐ)管，增加芯片的(Ωεde)晶體(tǐ)管數(shù)量。在晶體(tǐ)管尺寸的(de)不 ↔™∏(bù)斷微(wēi)縮過程中，為(wèi)了(le)實現(xiàn)↑™✘更小(xiǎo)的(de)線寬，在工(gōng)藝方面，光(guān♣>÷λg)刻機(jī)和(hé)刻蝕機(jī)起決定性作(zu©≤₽ò)用(yòng)。
根據全球最先進的(de)集成電(diàn)路(lù)制(zhì)造商台§σ‌✔積電(diàn)的(de)研制(zhì)時(shí)間(jiān)表，經過÷★δ18個(gè)月(yuè)，芯片制(zhì)程已經從(cóng€δ'↔)14納米發展到(dào)5納米，并進入大(dβ®à)規模生(shēng)産節點。
台積電(diàn)原本今年(nián)在芯片領域的(d₽γe)投資是(shì)110億美(měi)元，現(xiàn)在增加>↕δ​到(dào)了(le)140億至150億美(měi)₽α♦ε元，預計(jì)明(míng)年(nián)仍将保持這(zγ≤±φhè)一(yī)投資水(shuǐ)平。此外(w §>ài)，台積電(diàn)3納米芯片完成生(shēng♠ α★)産後，将啓動2納米的(de)新的(de)✘₩∑研發中心将會(huì)有(yǒu)8000名研發人∑λ§≠(rén)員(yuán)加入。
芯片制(zhì)程不(bù)斷地(dì)演進>©★↕，對(duì)設備的(de)加工(gōng)精度要(yào)求←‌≥"也(yě)随之提升。“現(x≠φ↔iàn)在已經提出要(yào)求做(zuò)到(dào)化(huà)學薄膜沉積<→φ¥均勻性正負0.29%，等離(lí)子(zǐ)£★體(tǐ)刻蝕線寬均勻性0.1納米，這(zhè)比一(yī♣↑↕↕)個(gè)原子(zǐ)還(hái)小(xi &ǎo)。”尹志(zhì)堯表示，&ld ↓β$quo;等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)刻蝕和(hé)化(huà)學薄φ₩膜是(shì)最關鍵的(de)設備。建一¶✘φ€(yī)個(gè)5納米的(de)生(shēng)産線比原‍∑☆來(lái)傳統的(de)生(shēng)産線貴5.5倍，每一(yī)個(gèε® )晶圓制(zhì)造成本貴2.6倍，現(xiàn)在台積電(diΩ₹✔àn)雖然技(jì)術(shù)上(shàng)可(kěσ₩)以實現(xiàn)，但(dàn)是(shì₹✘≤)很(hěn)貴，所以降低(dī)成本變成他(tā)們現(xi ♥àn)階段最重要(yào)的(de)任務，這(zhè)也(yě)是(shì∏'π£)我們加速自(zì)給設備材料的(de)機(jīσ↓©)會(huì)，因為(wèi)我們可(kě)以做(÷≥zuò)到(dào)質量好(hǎo)價格低(dī)。&rdq™ ÷uo;
中國(guó)目前很(hěn)多(duō)科(kē)創企業(y€≠αè)都(dōu)處在一(yī)個(gè)不(bù)對(duì)稱競争的δδ(de)國(guó)際環境裡(lǐ)，半δ∞✘±導體(tǐ)設備市(shì)場(chǎng)也(yě)呈現(xiφ≈§àn)高(gāo)壟斷狀态，且壟斷性逐年(nián)提←γ®升。
賽迪顧問(wèn)數(shù)據顯示，從(c₹Ω±✘óng)2014年(nián)到(dào)2018年(nián)，全球€¶ 半導體(tǐ)設備供應商TOP10市(shì)占率從(cóng←¶)78.6%上(shàng)升到(dào)81.0%，主要(yào)是↑​(shì)日(rì)本和(hé)美(měi)國(guó)的(∏®Ω©de)企業(yè)。中國(guó)的(de)設備企$¶♠☆業(yè)想要(yào)進入分(fēn)一(yī)杯羹，挑戰非✔↓ 常大(dà)，但(dàn)是(shì)一(yī)旦國(∏♠♣©guó)外(wài)設備商斷供，将會(huì)帶來(lái)巨₩♦大(dà)隐患。
與半導體(tǐ)其他(tā)領域類似，中國(guó)半導體(tǐ)設備需求←∞♣≠大(dà)，但(dàn)自(zì)給率低(dī)。在全國(gu≤βó)各地(dì)新建産線的(de)推動下(xià)，2018§ ÷‌年(nián)中國(guó)半導體(tǐ)設備需求激增↓ ，市(shì)場(chǎng)規模達128.2億☆₩ "美(měi)元，同比增長(cháng)47.1%，是↓<Ω(shì)全球設備産業(yè)增長(cháng)速度的(d∞λe)近(jìn)5倍，但(dàn)是(shì)國(g₩♣™uó)産設備的(de)自(zì)給率隻有(yǒu)12%。
經曆40年(nián)的(de)激烈競争，國(guó)際半導體(tǐ)≤φ工(gōng)藝設備高(gāo)度集中，形成γ≠λ了(le)三大(dà)國(guó)際設備公司為γπ(wèi)主導的(de)形勢，生(shēng)産線準入門(" ¥✘mén)檻很(hěn)高(gāo)。
要(yào)從(cóng)被少(shǎo≈✔")數(shù)企業(yè)壟斷的(de)市(shì)場(chǎng₽§γ)中突圍十分(fēn)不(bù)易，更何況是(shì)耗資巨大(dà)的(de≥₩)半導體(tǐ)産業(yè)。尹志(zhì)堯指出，微(w₩∑'→ēi)觀加工(gōng)設備的(de)開(kāi)發和(hé)ΩΩ生(shēng)産需要(yào)大(dà)量研發經費(fèi)和(hé)‌"φ‍資金(jīn)支撐。
即使中微(wēi)每年(nián)投入3億♥λ研發，也(yě)隻是(shì)美(měi)國(guó)↑ε±對(duì)手的(de)1/20，存在非常嚴重的(de)不(bù)對(d¥"uì)稱競争。尹志(zhì)堯給出了(le)一 ₩>§(yī)組數(shù)據：美(měi)國(guó)應用(yòng)‍‍∞材料公司年(nián)銷售172.5億美(měi)元，年(nián)研發經費↑>€(fèi)20.2億美(měi)元；美(měi)國(g∑Ω₹uó)泛林(lín)半導體(tǐ)年(nián)銷售110.8億美(měi)∑←元，年(nián)研發經費(fèi)11.9δλ億美(měi)元；東(dōng)京電(diàn)子(zǐ)年(n‍γπ↓ián)銷售106.2億美(měi)元，年★<↕(nián)研發經費(fèi)9.1億美(měi)元。他(tā)ελ₽✘呼籲，僅僅企業(yè)自(zì)己投入資本金(jīn)不(bù)夠，還←×>$(hái)需要(yào)低(dī)息貸款以及政府研發補貼的(de)支↕‍≥持。
　“不(bù)亞于兩彈一(yī)星”
除了(le)市(shì)場(chǎng)競争，半導體(tǐ)行(xíng)業✘Ω↑≈(yè)本身(shēn)綜合多(duō)個(gè)ε♦學科(kē)，技(jì)術(shù)難度大(dà)。
微(wēi)觀加工(gōng)納米結構已經接近(jìn)物(wù)理(l≤✘ ǐ)極限，目前台積電(diàn)提出的(de)原子(zǐ)水(sh₽§uǐ)平加工(gōng)需要(yào)集成50多(duō)個(gè)•¶學科(kē)的(de)知(zhī)識和(hé)技(j÷≥​ì)術(shù)，難度不(bù)亞于做(zu≥✔®ò)兩彈一(yī)星。
中國(guó)半導體(tǐ)産業(yè)其他(tā)挑戰，包括需要(Ω™‌§yào)有(yǒu)完整的(de)知(zhī)識産權保護體(tǐ)系&→；設備需要(yào)的(de)關鍵材料零部件(jiàn)都(dōλΩ u)要(yào)由國(guó)際一(yī™≈)流公司，甚至百年(nián)老(lǎo)λβ≤店(diàn)供應；微(wēi)觀器(qìγ★)件(jiàn)産業(yè)競争激烈，不(bù)斷要(yào)求設±♠₹備提高(gāo)輸出量、降低(dī)價格等等。
設備市(shì)場(chǎng)周期性的(deπ&®)波動遠(yuǎn)高(gāo)于微(wēi)觀器(qì)件(jiàn)産業($¶≥αyè)和(hé)傳統産業(yè)，很(h↕&© ěn)難預測，“根據Gartner 2004>≠♠年(nián)到(dào)2009年(nián)芯片設備市(shì)場(chǎ'‍ng)預測及實際表現(xiàn)來(lái)看(kàn)£₩ ↕，兩者常常大(dà)相(xiàng)徑庭，甚至αβ 對(duì)下(xià)一(yī)年(niá≤"n)的(de)預測也(yě)經常有(yǒu)趨勢性 σ<的(de)錯(cuò)誤，這(zhè)意味著(zhe✘∑)企業(yè)要(yào)覆蓋較多(duō)的(de)∏€産業(yè)，以保證公司持續發展”。
不(bù)過，受中興、華為(wèi)事(shì)≠☆σ件(jiàn)影(yǐng)響，國(guó)産半導體(tǐ)設♠δ備也(yě)迎來(lái)新的(de)契機(jī)。根φ$據SEMI（國(guó)際半導體(tǐ)産業(yè)協會(huì)） 數(sh✘§ù)據，2017年(nián)中國(guó)大(dà)♥•$π陸半導體(tǐ)設備銷售額約占全球的(de)15%，預計(j♠£ì)2020年(nián)占比将超過20%，約170億美(měi)元。
在業(yè)內(nèi)人(rén)士的(de)呼籲下(xià)，半導體¶©(tǐ)設備行(xíng)業(yè)也(yě)正受到(dào)重視(shì≠ β)。今年(nián)10月(yuè)，備受關注☆✔的(de)國(guó)家(jiā)集成電(diàn)路φλ <(lù)産業(yè)投資基金(jīn)（下↔ ↓(xià)稱“國(guó)家(jiā)大(dà)基金(jδ☆αīn)”）二期落地(dì)，該基金(jīn)管理(lǐ)機(jī)✘ ‍§構華芯投資在今年(nián)的(de)一(yī)次半導體(tǐ)論壇☆♥上(shàng)曾透露了(le)國(guó)家(jiā)大(dà)基金(j'¶♣īn)未來(lái)投資布局及規劃。将繼續支持©φ±♥龍頭企業(yè)做(zuò)大(dà)做(zuò)強，提升成線能(n★‌‌™éng)力。
國(guó)家(jiā)大(dà)基金(jīn)首期主要(y≈↓∞ào)完成産業(yè)布局，二期基金(jīn)将對(duì‌‌α←)在刻蝕機(jī)、薄膜設備、測試設備和(hé)↑✔清洗設備等領域已布局的(de)企業(yè)保持高∑≥(gāo)強度的(de)持續支持，推動龍頭企業(yè)做(z÷σuò)大(dà)做(zuò)強，形成系列化(huà≠γ &)、成套化(huà)裝備産品。國(guó)家(jiā)大(dà)基金(jīn)♥<Ω↕将加快(kuài)開(kāi)展光(guāng)刻機(jī)、 ♣∑化(huà)學機(jī)械研磨設備等核心設備以及關鍵零✘ ≈部件(jiàn)的(de)投資布局，保障産業(yè)鏈安全。