蓋世汽車(chē)訊 超小(xiǎo)型集成®↑電(diàn)路(lù)已經徹底變革了(le)手機(jī)、ε 家(jiā)用(yòng)電(diàn)器(qì)、£σ汽車(chē)以及其他(tā)日(rì)常技(jì)術(shù)，為('‍÷wèi)了(le)進一(yī)步讓此類電(diàn)子φ≈​(zǐ)設備小(xiǎo)型化(huà)，實現(xiàn)高∏↔≠(gāo)端功能(néng)，必須以三維•σ☆方式可(kě)靠地(dì)制(zhì)造此類電(di™™∞àn)路(lù)。蝕刻矽以實現(xiàn)超精∑ε→∑細3D形狀非常艱難，因為(wèi)即使是(shì)在原子(zǐ)尺度上♥'¶(shàng)造成損傷也(yě)會(huì)降低(dī)設備的✔♥(de)性能(néng)。
據外(wài)媒報(bào)道(dào)，日(rì)本奈良先端科$↔ε(kē)學技(jì)術(shù)大(dà)∞δσ•學院大(dà)學（Nara Institute ≈₽ of Science and Technology，NAIST）研究了(le)‍↓✔'一(yī)種新方法，在原子(zǐ)尺度上(shàng)将矽蝕刻成光(guāλ✔←∏ng)滑金(jīn)字塔的(de)形狀。此前，在此類 ‌Ω矽金(jīn)字塔上(shàng)塗覆薄薄的ππ×λ(de)一(yī)層鐵(tiě)讓其具有(y<&λ₩ǒu)磁性隻是(shì)理(lǐ)論上(shàng)的(de≠↓)想法，現(xiàn)在卻可(kě)以成真了(le)。
矽金(jīn)字塔（圖片來(lái)源：奈良先端科(kē)學技(←$☆jì)術(shù)大(dà)學院大(dà)學）
NAIST研究員(yuán)兼該研究資深作(zuò)者Ken Hat✔✘×tori一(yī)直都(dōu)在原子(zǐ)控制€∏(zhì)納米技(jì)術(shù)領域廣泛發表論文(wén)，其研究的($λ→de)重點之一(yī)是(shì)改進矽基技(jì)術(♠§σshù)的(de)功能(néng)性。他(tā)表示：“矽是('‌shì)現(xiàn)代電(diàn)子(zǐ)設®♠₽λ備的(de)主力，因為(wèi)其可(kě)以成為(wèi)一(yī)≥ ¶©個(gè)半導體(tǐ)或一(yī)個(gè)✘↔≥絕緣體(tǐ)，而且是(shì)一(yī)種豐富的(de)元素。不(bù ≤®γ)過，未來(lái)的(de)技(jì)術(shù)進步需要(yào≈™)以3D方式制(zhì)作(zuò)出在原子(zǐ)層面上(≈'≠shàng)很(hěn)光(guāng)滑的(de)設備。&rd←"quo;
結合标準幹蝕刻法和(hé)化(huà)學蝕刻法是(s≥π•✔hì)制(zhì)備金(jīn)字塔形矽納米≤ ♠結構陣列的(de)必要(yào)方法。到‌"₹(dào)目前為(wèi)止，制(zhì)備在原子(zǐ)層面、表面光(g•®₽★uāng)滑的(de)矽一(yī)直極具挑戰性。
該研究的(de)首席作(zuò)者Aydar Irmikimov表 >示：“我們制(zhì)成的(de≠✔♥φ)等腰矽金(jīn)字塔排列有(yǒu)序，大(dà♦¶)小(xiǎo)相(xiàng)同，而且各方都(dōu →')是(shì)平面。此外(wài)，我們利用(yòng)低(•÷dī)能(néng)電(diàn)子(zǐ)衍射圖和(hé)電(diàn)子(<®zǐ)顯微(wēi)鏡證實了(le)此類發現(xiàn)。&rdqu₽♠♠o;
在矽上(shàng)沉積一(yī)層30納米厚的(de)鐵(tiě)，可(≥♠φ♦kě)以讓其具有(yǒu)磁性。在原子(zǐ)層面上(shàng)的(de)金£♥(jīn)字塔方向确定了(le)其方向，也(yě©")确定了(le)覆蓋的(de)鐵(tiě)的(d±♠≈e)特性。
Irmikimov表示：“我們的(de)技≠π​(jì)術(shù)可(kě)以通(tōng)過調整基底的(de)形狀，∞γ簡單地(dì)制(zhì)造出圓形磁陣列，該方法與諸✘₩γ如(rú)自(zì)旋電(diàn)子(zǐΩ₩)學等通(tōng)過自(zì)旋而不(bù)是(shì®≠✘)電(diàn)子(zǐ)電(diàn)荷來(lφ®ái)編碼信息的(de)先進技(jì)術(shù)結合在一(yī)起，可(kě ®≠×)大(dà)大(dà)提升三維電(diàn)子(zǐ)設備的( ₹de)功能(néng)性。”